October 31st, 2013

Будни путинского произвола.

200 госслужащих лишились своих должностей после проверки деклараций о доходах - Иванов
www.itar-tass.com

200 госслужащих уволены в связи с утратой доверия после проверки деклараций о доходах, сообщил журналистам глава администрации президента РФ Сергей Иванов после заседания президентского Совета по противодействию коррупции. По его словам, декларации о доходах в 2012 году подавали 1 млн 300 тыс. служащих, в 2013 году - полтора миллиона, поскольку по новым законам, сведения должны публиковать сотрудники Банка России и компаний с госучастием.

"За первую половину 2013 года проведено более 130 тыс. проверок достоверности сведений о доходах, к 3 тыс. служащих применены меры юридической ответственности, это не значит уголовной ответственности", - подчеркнул Иванов. "200 человек уволены в связи с утратой доверия", - сказал он.

Около 600 государственных чиновников подали заявления о имеющихся банковских счетах за рубежом, добавил Иванов, напомнив, что госслужащие больше не имеют права иметь зарубежные активы. "В некоторых случаях уже при введении этой нормы /не иметь счета за границей/ чиновники уволились", - сообщил Иванов. В качестве примера он привел бывшего заместителя министра связи и массовых коммуникаций Дениса Свердлова.

Свердлов покинул свой пост, так как не захотел отказываться от своих зарубежных активов. Как сообщили тогда в правительстве РФ, "этот случай демонстрирует, что закон реально работает" и "в правительстве с пониманием отнеслись к выбору Дениса Свердлова".

Щи лаптем хлебаем?

"Дочка" "Роснано" первой в мире начала выпуск новой памяти
top.rbc.ru

Компания "Крокус Наноэлектроника" - совместное предприятие "Роснано" и Crocus Technology - запустила первую очередь завода по производству магниторезистивной памяти (MRAM) с проектными нормами 90 нанометров. К концу 2014г. производительность составит 500 пластин в неделю.

Общий объем инвестиций в проект превышает 200 млн евро, включая софинансирование "Роснано" в размере 100 млн евро. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014г. превысит 8 млрд долл.

Микросхемы MRAM (magnetoresistive random access memory, магниторезистивная память с произвольным доступом) обладают преимуществами хорошо известных типов памяти — DRAM, SRAM и Flash — и в то же время лишены многих их недостатков. Данные в MRAM записываются не с помощью электрических зарядов, а с помощью магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает важное для этого типа памяти свойство — энергонезависимость, то есть  возможность сохранять записанные в ячейки данные даже в случае отключения питания. Микросхемы MRAM сочетают низкое энергопотребление, высокую скорость считывания и записи информации и практически неограниченное число циклов чтения и записи памяти DRAM с энергонезависимостью Flash.

Collapse )